【摘 要】
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为了满足现代高性能火炮和航空航天技术对点火快速性、一致性、安全性的要求，半导体桥(Semiconductor Bridge，简称SCB)火工品逐渐发展起来。本文以SCB火工品为研究对象，针对SCB
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为了满足现代高性能火炮和航空航天技术对点火快速性、一致性、安全性的要求，半导体桥(Semiconductor Bridge，简称SCB)火工品逐渐发展起来。本文以SCB火工品为研究对象，针对SCB点火机理和点火过程进行理论研究与数值模拟分析，主要内容如下：
a)通过对SCB相关特性、传热机制、临界能量、输入能量等方面的分析来研究SCB的点火机理。
b)对传统的火药点火理论作了非傅立叶热传导效应的修正，通过分析强瞬态非傅立叶热传导过程，建立SCB点火的一维球形模型和二维柱状模型，采用Dufort-Frankel差分格式来实现两种模型的数值计算，分析火药直径、等离子体温度、吸收层厚度等因素对SCB点火性能的影响；
c)结合SCB点火的一维球形模型，运用蒙特卡洛方法进行随机模拟，分析随机因素对SCB点火性能的影响。
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