ITO透明导电膜的性能研究及其在nip结构硅基薄膜太阳电池上的应用

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【摘要】

：

ITO ( Indium Tin Oxide)膜为体心立方铁锰矿结构的多晶体,为n型半导体薄膜材料,其半导化机理为掺杂(掺锡)和组分缺陷(氧空位)半导化,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性,成为薄膜太阳电池和发光元器件理想的电极材料。本文采用电阻蒸发和电子束蒸发的方法,通过优化ITO薄膜的制备工艺,如衬底温度、氧压、蒸发速率,并通过对薄膜厚度、薄膜电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度、

【作者】

：

李林娜

【机构】

：

河北工业大学

【发表日期】

：

2007年01期

【关键词】

：

ITO薄膜电阻率透过率太阳电池

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