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ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV)，在室温下有很高的激子束缚能(60 meV)，外延生长温度低，抗辐射能力强，在短波发光二极管、半导体激光器和紫外探测器等领域具有广阔的应用前景。通过改变ZnO中Mg的掺入量，让Mg取代Zn的位置，所形成的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜在保持纤锌矿结构不变的前提下能够调节带隙在3.3～4.5eV之间变化，而且可以和ZnO形成较好的晶格匹配。通过在光电器件中建立ZnMgO／ZnO多量子阱结构，可以提高器件的发光效率，调制器件的发光特性。