RFID是近年来兴起的一种无线自动识别技术，它具有方便快捷、准确可靠、可多目标识别等一系列优点，在门禁管理、物流管理、食品安全管理等领域已经广泛应用。　　 射频集成电路(RFIC)设计的研究对RFID等无线通信技术发展有巨大的推动作用。在现代射频集成电路采用的工艺中，CMOS具有成本低，易于集成的优点。而且随着器件尺寸减小，CMOS技术的截止频率不断提高，现在已经能够到100G Hz以上。因此，CMOS技术逐渐成为未来射频集成电路发展的趋势。本文针对ISO18000-6C协议要求，设计了两款用于UHF RFID的CMOS功率放大器，一款采用单端结构，另一款为差分结构。　　 本文采用台积电CMOS0.18RF工艺设计的一款用于UHF RIFD的单端功率放大器。设计过程中，为了避免放大器MOS管被击穿，在第二级采用共源共栅结构；依照谐波理论，分析了不同偏置电压下各次谐波的大小，并扫描偏置电压，找到了“Sweet Spot”，优化了功率放大器的线性度(P1dB)与效率；与输入匹配不同，通过使用Load Pull技术确定了最佳负载，得到最大输出功率；定量分析了产生不稳定的机制，并提出了两种解决办法，第一种是在电路的栅极加上一个电阻以“平衡”负阻抗，第二种是栅极和漏极之间串联一个电容与电阻；版图设计过程中，采用多个PAD并联，以减小绑定电感。对于另一款差分放大器则重点介绍它的结果。　　 文章最后给出了测试结果：单端功率放大器在915MHz处，输出功率为17.8dBm，输入1dB压缩点为-12.4dBm，增益达到了28.6dB，满足REID系统要求；差分放大器在915MHz处，输出功率为21.8dBm，功率增益为36dB。