磁传感器广泛地应用于信息技术、自动控制、交通运输、电力电子、医疗仪器等诸多领域，在现代工业中地位举足轻重。在各种磁传感器中，巨磁阻抗传感器尽管尚未得到广泛应用，但由于它能够同时满足灵敏度高、尺寸微型化、响应速度快、功耗低、非接触测试和没有磁滞等要求，并且使用交流驱动，可以实现调制、解调、滤波、振荡和共振等多种功能，因此对它的研究越来越受到各国研究者的重视。 Fe 基软磁材料具有优良的软磁性能，价格低廉，资源丰富，其较大的磁致伸缩系数又有利于获得较大的应力阻抗效应；而薄膜能够与大规模集成电路工艺相兼容，易于多层化以及便于实现批量化生产，因此本文选择具有较大磁致伸缩系数的Fe基软磁薄膜作为研究对象，系统研究了非晶态FeCuNbSiB和FeAlNbVCuB软磁薄膜材料的最佳制备工艺条件及在最佳条件下制备的单层膜、矩形三层等宽、矩形三明治结构以及曲折形三层等宽和三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应。主要研究结果如下：　　 1. 制备了FeCuNbSiB和FeAlNbVCuB单层膜样品，研究了两种软磁薄膜材料单层膜的巨磁阻抗效应。 2. 利用射频磁控溅射法、光刻技术、刻蚀工艺等制备了矩形三层等宽、矩形三明治结构以及曲折形三层等宽和三明治结构多层膜实验研究发现，多层膜结构对提高巨磁阻抗效应有明显的优势。 3. 研究了在未来实用传感器中有着广泛应用前景的曲折形三层等宽和三明治结构多层膜。研究发现，曲折形三明治结构具有优良的巨磁效应：FeCuNbSiB材料在较低频率下巨磁阻抗效应值能达到55％左右；FeAlNbVCuB材料可达35％左右；对于曲折形三层等宽结构：FeCuNbSiB材料较低频率下巨磁阻抗效应值能达到23.5％左右，FeAlNbVCuB材料可达18％左右。 4. 对曲折形三明治结构中的Cu导电层厚度及宽度对整个多层膜结构的影响作了系统的研究。结果显示，Cu层厚度存在一个最佳厚度。对于本文所述的多层膜结构其厚度约为2微米左右；Cu层的宽度对整个多层膜结构的GMI效应影响呈现振荡变化的规律。 5. 为了提高制作工艺简单的曲折形三层等宽结构FeCuNbSiB多层膜的GMI效应，对其进行了退火热处理。结果发现，在温度小于400℃时，退火处理能明显提高GMI效应；同时发现，FeCuNbSiB最佳的退火温度约为300℃左右。