【摘 要】
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随着AlGaN/GaN HEMT朝着高频、大功率的方向不断发展,采用空气桥实现独立源端或漏端的互连,具有低寄生电容、方便制备、高可靠性等优点,越来越体现出其重要性。本文首先从空
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随着AlGaN/GaN HEMT朝着高频、大功率的方向不断发展,采用空气桥实现独立源端或漏端的互连,具有低寄生电容、方便制备、高可靠性等优点,越来越体现出其重要性。本文首先从空气桥的相关理论入手,分析得出一种便于制备、结构强度高的拱形结构空气桥;然后,利用不同性质的光刻胶组成的复合胶结构,通过低温烘烤,很方便的制备出比所涂胶层厚出约60%的拱形牺牲层,该牺牲层对桥下金属有极强的保护作用;接着,再采用无毒电镀液电镀加厚空气桥。试验摸索出电镀经验公式,根据所需金属质量的要求,利用公式能很方便的计算出所需要的电镀条件;最后,利用该空气桥工艺制备AlGaN/GaN HEMT多栅器件,分析其可靠性,发现空气桥的最高工作温度约为500℃。研究发现,主要是电镀过程中加大欧姆接触中Al和Au合金中的Au比例,当Au比例达到一定程度,导致合金熔点的降低。
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