低温共烧多层压电陶瓷由于其集成度高、体积小、压电和介电性能好等优点已经在集成电路等领域得到了广泛的应用。因此,找到可用于低温烧结的高性能压电陶瓷非常关键。最新的研究工作表明:Pb（Hf,Ti）O₃-Pb（Nb,Ni）O₃（PHT-PNN）是一种新型的具有高压电、高介电的陶瓷体系。但是,其烧结温度（1250℃）较高,限制了它在低温共烧多层压电陶瓷领域的应用。为了研究PHT-PNN压电陶瓷的低温烧结特性,本论文以0.51Pb(Hf_0.3Ti_0.7)O₃-0.49Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃压电陶瓷体系为研究对象。采用传统固相烧结法,通过离子对掺杂、添加烧结助剂、复合掺杂等方法降低烧结温度,同时提高其压电性能。得到的主要结论如下:采用固相法制备了等摩尔Li⁺和Bi³⁺共掺杂的0.51Pb(Hf_0.3Ti_0.7)O₃-0.49Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃压电陶瓷。系统研究了Li⁺和Bi³⁺共掺杂对PHT-PNN陶瓷晶体结构、微观组织、压电和介电性能的影响。结果表明,Li⁺和Bi³⁺能够进入PHT-PNN晶格,使晶胞发生畸变,改善材料的电学性能。在烧结过程中Li₂CO₃和Bi₂O₃形成的液相促进了陶瓷晶粒生长和致密化。研究发现1.0 mol%(Li⁺-Bi³⁺)共掺杂的PHT-PNN陶瓷在1100℃温度下烧结,可得到最佳的电学性能,即d₃₃=1025 p C/N,ε_r=7974,k_p=0.65,tanδ=2.9%,T_c=119℃。研究了CuO助烧的0.51Pb(Hf_0.3Ti_0.7)O₃-0.49Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃压电陶瓷,综合分析了CuO对PHT-PNN陶瓷的烧结温度、微观结构和电学性能的影响。结果表明,通过添加CuO,PHT-PNN/CuO压电陶瓷具有优良的低温烧结特性,其在1050℃的低温可以烧结致密。这是由于CuO与PbO在790℃下可以形成共晶液相,从而使得样品在低温下便可快速致密化,最终获得均匀的微观组织结构。电学性能测试结果显示,当CuO添加量为0.5 mol%时,样品的d₃₃=912 p C/N,ε_r=6665,k_p=0.55,tanδ=2.73%,以及T_c=130℃。研究了Li⁺、Bi³⁺和Cu²⁺复合掺杂的0.51Pb(Hf_0.3Ti_0.7)O₃-0.49Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃陶瓷。结果表明,PHT-PNN/Li⁺-Bi³⁺/C u²⁺陶瓷可以在1000℃以下完成烧结,形成均匀致密的组织结构。在Li⁺、Bi³⁺和Cu²⁺的多重作用下,低温烧结的PHT-PNN样品的压电和介电性能得到大幅度提升。对于添加1.0 mol%(Li⁺-Bi³⁺)和0.5 mol%Cu²⁺的样品,在1000℃下烧结2 h时,获得最佳的综合性能,其d₃₃=1000 p C/N,ε_r=7248,tanδ=2.99%,T_c=119℃。