宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料是蓝光-绿光区域高效率的发射器,其纳米微晶随其尺寸的减小,显示出与体材料截然不同的特异性质。它们在超高速的光运算、光开关、光信息存储以及发光显示领域具有广阔的应用前景。自从1994年R.N.Bharagava首次报道了过渡金属离子掺杂纳米半导体超微粒ZnS:Mn的光学性质以来,人们对于掺杂离子发光的研究也开始多了起来。溶剂热法作为近年来新兴的一种合成纳米材料的方法,有着温度低、团聚少、颗粒形状可控等优点。我们利用溶剂热的方法合成了CdS纳米棒、Mn离子掺杂的CdS纳米棒以及Mn离子掺杂的ZnS纳米粒子,主要研究了样品的制备条件对样品的形貌、晶型、结晶度、尺寸及发光性质的影响。总结如下:1.利用溶剂热法合成了CdS纳米棒及球形纳米粒子。发现乙二胺在溶剂中的比例对样品的最终形貌起决定性的影响,以乙二胺做溶剂会得到纳米棒,而完全不加乙二胺则会得到球形纳米粒子;在所研究的条件范围,产品的粒径会随着反应时间的增长而增大;反应温度对产品的晶型、结晶度、大小、形貌没有明显的影响;溶剂的填充度对样品的晶型、结晶度等几乎没有影响,但是对大小和形貌有较大影响。2.采用溶剂热的方法制备了Mn离子掺杂的CdS纳米棒,成功使Mn离子进入了晶格并获得了Mn离子的特征发光。考察了Mn离子掺杂浓度、硫镉摩尔比、反应温度以及反应时间等制备条件对所得产品的晶相、形貌、发光性质等方面的影响,发现:Mn离子掺杂浓度为1.5%时发光效果达到最好;增大原料中硫源的比例,既可以提高样品的结晶度,又可以弥补样品表面的硫空位,从而提高了发光强度;在一定的温度区间,温度对发光性质的影响不大;反应时间对于发光性质的影响没有规律性。