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近年来,随着电子设备向小型化、轻量化、薄形化、高频化、低损耗和高可靠性的发展,对电子元器件及材料的要求朝着进一步的小型化、集成化方向压缩,部分器件将由三维的体材料向二维的薄膜材料过渡。关于磁性薄膜材料的研究在薄膜磁记录介质、磁盘、薄膜型磁头、薄膜变压器及薄膜电感器等领域十分活跃。在常用的铁氧体薄膜制备工艺中,材料的晶化需要在高温下进行,这对基底的耐热性提出了较高的要求,给铁氧体薄膜在一些耐热性较差的基底材料(如聚脂膜、聚合物颗粒、GaAs集成电路等)上进行沉积带了很大的困难,从而使基底材料的选择受到