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随着半导体工艺技术的不断发展,非挥发性快闪存储器的集成密度越来越高,存储单元特征尺寸不断减小,因而传统的多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战,如隧穿氧化层的减薄导致数据保存能力退化等。而基于分离电荷存储的非挥发性存储器,可以采用更薄的隧穿氧化层同时保持着良好的数据保留特性,由此可以带来更低的编程/擦除电压和更快的编程/擦除速度,是下一代快闪存储器最理想的解决方案之一。基于上述思想,本论文研究了金属Pd纳米晶的制备方法以及它作为电荷存储中心的电学性能的研究。具体内容包括以下几个方面：(1)采