【摘 要】
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该文首先概括介绍了硅中Ga扩散的原理以及SiO-Si内界面的结构与特性,简要叙述硅中Ga掺杂的研究现状.第二章介绍进行开管Ga扩散所用的氧化和扩散系统、样品制备过程及其分凝特性的测量.第三章系统研究了不同条件下Ga在SiO-Si内界面的分凝特性.借助SIMS分析方法,研究并得出了Ga在SiO/Si系恒定表面源条件下的掺杂规律.通过对磷扩散过程的模拟分析,得到近基区载流子浓度随磷再分布时间变化的三段
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该文首先概括介绍了硅中Ga扩散的原理以及SiO<,2>-Si内界面的结构与特性,简要叙述硅中Ga掺杂的研究现状.第二章介绍进行开管Ga扩散所用的氧化和扩散系统、样品制备过程及其分凝特性的测量.第三章系统研究了不同条件下Ga在SiO<,2>-Si内界面的分凝特性.借助SIMS分析方法,研究并得出了Ga在SiO<,2>/Si系恒定表面源条件下的掺杂规律.通过对磷扩散过程的模拟分析,得到近基区载流子浓度随磷再分布时间变化的三段性特点,并推导出近基区载流子浓度与磷扩散时间之间的关系.
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