【摘 要】
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设计研制与LTCC技术相适应的各种层式微波固态器件就成了当务之急,而开发与探索可用于制作LTCC层式微波器件的微波介质更成了首要任务.因此该文的研究内容就是评估和探索制造
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设计研制与LTCC技术相适应的各种层式微波固态器件就成了当务之急,而开发与探索可用于制作LTCC层式微波器件的微波介质更成了首要任务.因此该文的研究内容就是评估和探索制造层式器件的微波电介质以及其与LTCC技术相配合的相关问题探讨.LTCC技术特点不仅在于它的可集成化,更在于它有低的烧结温度,因此可以采用低熔点高电导率的金属Au,Ag作内电极,提升电路的布线导电率和性能.同时还可以采用低熔点贱金属(base metal electrode,BME)Cu,Ni等作内电极,以降低制造成本.特别是用Cu作内电极时,不仅原料廉价而且Cu拥有极好的电导率,因此可以得到低成本高性能的器件.BiNbO<,4>基材料是一类低介电常数低温烧结微波介质,其良好的微波介电性能使其能用于制造各种层式器件.BiNbO<,4>在氧分压低如10<-13>的气氛下被强烈还原的事实吸引了作者去研究这类材料在稍高氧分压10<-6~-5>气氛中的烧结行为和微波介电性能,因此文中详细介绍了各种掺杂取代模式下的这类材料的气氛烧结特性,烧结气氛与介电性能的关系以及缺陷模式、烧结气氛和介电性能三者的关系,并对观察到的现象作了适当的分析和解释.CuO加入BiNbO<,4>体系中可以引起低频下的介电弛豫,研究表明这与Cu<2+>在粒间分布所形成的复杂缺陷有关.采用Shannon提供的离子极化率数据,通过对Cu<2+>,V<5+>,Ca<2+>,Y<3+>,Ce<4+>以及它们联合取代BiNbO<,4>的分析表明,微波频率下,极化率主要构成为离子极化率,实际极化率相对理论极化率的增加,可以归结为与体系中氧空位缺陷的增多相关的缺陷极化的贡献.
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