在外磁场中利用PCVD法制备SnO<,2>薄膜及其性能研究

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该文根据磁场对等离子体的作用原理,利用磁镜场使这些问题有了一定程度改善,并通过MgO等掺杂,得到了对NO<,2>具有较好气敏性能的SnO<,2>薄膜,并对实验结果进行了详细分析和讨论.薄膜的气敏性能是作者研究的目的.该文在最佳磁镜场和PCVD工艺条件下,分别制备了MgO、Co<,2>O<,3>掺杂的SnO<,2>气敏导电薄膜,利用X-射线衍射分析(XRD)对薄膜物相组成进行了定性分析,采用SEM扫描电镜对薄膜表面结构、结晶状况及晶粒形貌、大小进行了观察和分析,最后对薄膜的气敏性能进行了详细测试和研究.实验结果表明,适当比例MgO的掺入,不但可以促进SnO<,2>薄膜的结晶,同时会抑制薄膜晶粒的长大,使薄膜表面微粒化,从而增大薄膜比表面积,提高了SnO<,2>薄膜的气敏性能.当MgO掺杂量为1.7%wt时,SnO<,2>薄膜对NO<,2>具有很高的气体选择性和灵敏度,且响应恢复时间较短,在160℃下,在1000ppm范围内具有较好的响应线性性,该文在上述实验结果都进行了详细分析和讨论.此外,对Co<,2>O<,3>掺杂SnO<,2>薄膜的气敏测试表明,适当比例Co<,2>O<,3>的掺入,也可在一定程度上提高SnO<,2>薄膜对NO<,2>的气敏性能,但与MgO掺杂相比,这种作用效果要弱得多.该文还对SnO<,2>及其掺杂薄膜的其它性能进行了测度和分析,结果表明,MgO及Co<,2>O<,3>掺杂的SnO<,2>薄膜具有较好的结构稳定性、电学稳定性及气敏性能稳定性.该文首次将磁镜场对等离子体的作用原理,应用到等离子体化学气相沉积制备SnO<,2>气敏导电薄膜方面,得到了阻值分布均匀、电学性能优良的SnO<,2>导电薄膜,并通过MgO等掺杂得到了对NO<,2>有较好气敏性能的SnO<,2>薄膜,另外通过MgO掺杂SnO<,2>薄膜的气敏特性和温阻特性对比测试,得出了SnO<,2>薄膜检测NO<,2>气体的最佳工作温度条件.关于这些方面的工作目前还未见报道,是该课题的特色与创新.
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