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在微晶硅薄膜的制备中，通过控制SiH4气体流量改变等离子体启辉条件。采用光发射谱(OES)技术，测量了等离子体发光谱随时间的变化，研究了体肩辉条件对等离子体光谱、薄膜微结构和界面缺陷态密度的影响。结果表明，恒定气体浓度的启辉条件下，Hα和SiH*光发射强度比(IHα/ISiH*)在等离子体启辉初期比较低，使得薄膜生长初期存在厚的非晶孵化层。初朋SiH4浓度比较低的启辉条件，有利于提高IHα/ISiH*，从而改善薄膜在生长方向上的结构均匀性和薄膜致密度。但是过高的IHα/ISiH*会增加薄膜硅和晶体硅界面的缺陷态密度。