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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。
低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究
【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
【出 处】
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第十一届中国光伏大会暨展览会
【发表日期】
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2010年期
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