【摘 要】
：
欧姆接触是SiC器件制备的重要工序,同时在高温大功率应用时,欧姆接触的低比接触电阻和高的稳定性是决定器件性能的两个重要因素。许多文章报道了在Si层里C的重新分布以及
【机 构】
：
株洲南车时代电气股份有限公司,株洲 412001
【出 处】
：
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
论文部分内容阅读
欧姆接触是SiC器件制备的重要工序,同时在高温大功率应用时,欧姆接触的低比接触电阻和高的稳定性是决定器件性能的两个重要因素。许多文章报道了在Si层里C的重新分布以及接触的电学性质(集中在肖特基接触向欧姆接触的转变,热稳定性等方面)。本文提出了一种新型的n型SiC欧姆接触金属Ni/Ti/Ni,金属Ti的加入可以减少接触面的氧化,与C反应生成TiC有助于去除未反应的C原子,增强Ni/Ti/Ni的稳定性,通过牺牲氧化和丙酮乙醇去离子水超声清洗处理4H-SiC的表面,采用溅射法在4H-SiC上制备Ni/Ti/Ni=200/200/1000A金属层,通过950℃、1000℃、1050℃、1100℃高温退火形成欧姆接触,并研究了退火温度对新型欧姆接触特性的影响(pc由圆形传输线模型CTLM中的作图法测得),实验表明950～1050℃高温退火5分钟后,表现出良好的欧姆接触特性,接触电阻随温度上升而下降,1100℃退火后电阻变大,这说明温度过高会导致欧姆接触性能严重劣化,这可能是高温条件下Ti易氧化影响粘结性能导致热退火的原因,因此未来得到良好的欧姆接触特性,应该严格地控制退火的时间、温度,仅仅增高了50℃之后,欧姆接触的比接触电阻率就大大升高,严重影响接触性能。
其他文献
老龄安梨树的更新修剪技术￥天津市蓟县罗庄子乡政府＠李瑞老龄安梨树的更新修剪技术安梨树有效经济寿命长，并以连续轻剪缓放达到连年丰产，而当进入衰老期时，极易表现新梢下垂，枝组衰
目的 观察特布他林联合异丙托溴铵雾化吸入辅助治疗慢性阻塞性肺疾病稳定期的疗效及对患者呼吸功能的影响.方法 选取2017年1月-2019年3月广东省东莞市虎门镇南栅医院收治的慢
“东方红,太阳升,中国出了个毛泽东……”陕北高原上一位质朴敦厚的汉子,用朴素的语言和粗犷的歌喉,唱出了这首后来响彻寰宇的颂歌。如今,“毛泽东”这3个字早已超出个人称
以硫代氨基脲作为低温辅助剂,硅粉为硅源,叠氮化钠为氮源,采用溶剂热法在低温180℃合成α相氮化硅籽晶体.对所制备样品进行X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电
目的 分析中西药联合辅助治疗对慢性支气管炎急性发作期患者炎性因子及肺功能的影响.方法 选取2017年9月-2019年7月扬州洪泉医院收治的慢性支气管炎急性发作期患者130例,采用
近些年来,关于半导体模拟集成电路失效分析的研究越来越多,通过失效分析不仅可以发现设计、制造过程中存在的问题,同时可以不断改进产品的设计水平和制造工艺,提高产品可靠性
目的 观察胺碘酮治疗急性心律失常的临床效果和安全性.方法 选取2018年1月-2019年9月在云南省曲靖市第二人民医院就诊的急性心律失常患者60例,按照就诊单双号随机分为观察组
五年来,安徽省的优抚工作,在上级党和政府的领导与关怀下,获得了很大成绩。特别是自一九五一年六月一日中国人民抗美援朝总会向全国人民发出了「关于推行爱国公约、捐献飞机
本文选择Ni/V双层金属结构，研究了引入V对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响。实验结果表明，Ni/V双层金属结构在退火温度高于950℃才能与SiC半导体形成良好的欧姆接触；不同厚度的Ni/V