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本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温区具有良好的输出特性.
(27-300℃)宽温区薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件输出特性的研究
【摘 要】
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本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温
【机 构】
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东南大学微电子中心(南京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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