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深亚微米CMOS/SOS器件发展对于厚度为200纳米左右的SOS外延薄膜提出了更高的要求.研究表明,采用固相外延工艺(SPE)改性的硅烷热分解生长SOS薄膜的电学特性有明显提高,材料的迁移率和器件特性有很大改善.固相外延改性后的SOS材料可以应用于CMOS/SOS器件.
薄层SOS材料改性和器件应用进展
【摘 要】
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深亚微米CMOS/SOS器件发展对于厚度为200纳米左右的SOS外延薄膜提出了更高的要求.研究表明,采用固相外延工艺(SPE)改性的硅烷热分解生长SOS薄膜的电学特性有明显提高,材料的
【机 构】
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上海贝岭股份有限公司
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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