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用双源蒸发工艺制作Cr·SiO薄膜电阻器
用双源蒸发工艺制作Cr·SiO薄膜电阻器
来源 :2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yipan1975
【摘 要】
:
本文简要介绍使用钟罩型真空镀膜机和双源蒸发工艺制作高质量Cr·SiO薄膜电阻器的探索与实践,结果表明,这是一种基于原有设备的具有工艺简单稳定、流程短而效率较高的实用新工艺,完全可以替代原有工艺而投入生产.
【作 者】
:
赵亚明
【机 构】
:
西安微电子技术研究所(西安)
【出 处】
:
2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会
【发表日期】
:
2001年4期
【关键词】
:
HIC
双源蒸发
Cr·SiO电阻器
薄膜电阻器
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本文简要介绍使用钟罩型真空镀膜机和双源蒸发工艺制作高质量Cr·SiO薄膜电阻器的探索与实践,结果表明,这是一种基于原有设备的具有工艺简单稳定、流程短而效率较高的实用新工艺,完全可以替代原有工艺而投入生产.
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