Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在形成研究热点.近两三年，我们在Ga2O3薄膜生长、物性研究及器件方面做了一些工作[1-8]，借此机会与大家交流.利用激光分子束外延(LMBE)技术在蓝宝石衬底上生长并获得了沿(-201)择优生长的高质量β-Ga2O3外延薄膜，同时开展了其在以下几个方面的应用研究：1)、通过O2气氛原位退火有效地减少了Ga2O3薄膜内的氧空位，使其与Au/Ti电极形成肖特基接触，制备了具有更快响应速度、更高光暗比的Ga2O3基日盲光电探测器；2)、利用高温下交替沉积Ga2O3及过渡金属(Mn或Cr)薄层，分别获得了均匀高掺杂的β相Ga2O3：Mn外延薄膜及具有磁各向异性的Ga2O3：Cr纳米蠕虫薄膜结构，并对其磁性起源做了讨论；3)、研究了稀土掺杂Ga2O3在近红外宽谱激光或光电放大器等多功能光电材料中的潜在应用；4)、在真空低温条件下获得非晶非化学计量比的氧化镓薄膜，报道了氧化镓薄膜的单极型阻变行为，同时发现并研究了氧化镓薄膜的反常双极型阻变特性，探索Ga2O3在阻变存储器方面的应用.