论文部分内容阅读
本文在分析某大型地面雷达结构特点的基础上,归纳了该型雷达的结构设计要点,给出了总体布局的原则,提出了控制天线场区电磁环境、消除环境温度对装备的影响、综合布线以及系统防雷等方面的解决方案。结果表明,以上措施经济、有效,达到了预期效果。
某大型地面雷达结构总体设计要点
【摘 要】
：
本文在分析某大型地面雷达结构特点的基础上,归纳了该型雷达的结构设计要点,给出了总体布局的原则,提出了控制天线场区电磁环境、消除环境温度对装备的影响、综合布线以及系
【机 构】
：
南京电子技术研究所,南京 210013
【出 处】
：
中国电子学会2008年电子机械、微波结构工艺学术会议
【发表日期】
：
2008年期
其他文献
用JGP200磁控溅射仪在射频功率为90W、氩气压强为0.8Pa、氩气流速为5sccm,衬底温度350℃等条件下用16h在单晶高纯高阻本征硅(111)基片上制备了Bi:YIG薄膜,再在AG4100型快速退
会议
ZnO由于其独特的结构和性能,在很多领域都有其应用。介绍了ZnO薄膜在太阳能电池,气敏元件,压敏器件等领域的应用以及其在薄膜晶体管,自旋电子器件,热电器件等方面的潜在应用
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射.以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片.制作了2.5μm×800μm的脊形波导激光器.
会议
利用MOCVD生长了无裂纹Si基GaN及AlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层及HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作
本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了
通过对铜-锆(Cu-Zr)合金膜进行退火,在其表面上获得了亚微尺度的规则颗粒.利用X射线,场发射扫描电镜及能谱对颗粒的形态和成分进行了研究.结果显示这些自生长的颗粒是棱角分
会议
设计了一种新型结构的InGaAs/Si雪崩光电二极管(APD),这种结构将光吸收区(InGaAs)和Si的P-N结分开,由光吸收区入射的载流子在Si倍增层得到放大,从而可以得到灵敏度极高的探测
阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。
栅结构在某种程度上决定VDMOS器件的频率特性和耐压等基本性能.本文设计并研究了VDMOS器件的分栅结构和虚拟栅结构.通过模拟和器件仿真可以得出,分栅结构可以使得栅与衬底的