论文部分内容阅读
设计了一种新型结构的InGaAs/Si雪崩光电二极管(APD),这种结构将光吸收区(InGaAs)和Si的P-N结分开,由光吸收区入射的载流子在Si倍增层得到放大,从而可以得到灵敏度极高的探测器.InGaAs与Si通过键合技术连接到一起,优化InGaAs/InP和Si外延片的物理化学清洗及键合条件,制备得到的InGaAs/Si材料界面质量良好,可用于制备高带宽、高灵敏度的应用于长波长光通信接收系统的接收机.