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为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求，本文结合了仿真和理论分析，研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管，并研究了其在UHVDC 换流器中的应用前景.同时，介绍了我们在4.5 kV SiC 发射极关断晶闸管(ETO)的初步实验结果.研究表明：30kV SiC 晶闸管与现有商用Si 晶闸管相比，不仅可以极大的减少器件串联使用数量，简化控制电路，而且可以大幅降低导通损耗，提高能效.因此，高压SiC 晶闸管将可能取代Si 晶闸管，成为下一代UHVDC 换流器核心开关器件.