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采用砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和基于硅工艺的CMOS电荷泵技术，研制开发的六位数字控制衰减器，可采用串／并控制方式，无需外加隔直电容，具有衰减精度高，承受功率大，线性度高等特点。产品由GaAs PHEMT0.5um标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工。测试结果表明，在0.01～4.0GHz带内，插入损耗≤2.8dB@4GHz，带内输入输出驻波比≤1.5，衰减精度在±(0.2dB+3％)以内，1dB压缩功率点达到了29dBm，IP3超过了+54dBm。