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钨青铜结构由10个氧八面体共顶连接构成,从c轴方向看,会构成2个四边形(A1位)、4个五边形(A2位)及4个三边形(C位)通道.氧八面体中心(B位)通常由Ti、Nb、Ta等小离子半径的氧离子占据,A2位一般由最大离子半径的阳离子占据,A1位一般由次大离子半径的阳离子占据,C位则由Li等小离子半径的离子占据、通常为空位.根据不同的阳离子占位情况,可将钨青铜结构分类为全充满型(A、B、C位全充满)、充满型(A、B位全充满)与非充满型(A1位部分空缺)三类.与钙钛矿相比,钨青铜陶瓷有着更为丰富的独特的铁电与介电特性,而这些特性很大程度上取决于离子占位情况.本研究重点讨论充满型与非充满型钨青铜铌酸盐陶瓷的铁电相变与低温介电弛豫特性及其结构根源.其自发极化起源于B位离子沿氧八面体轴向的位移,而钨青铜结构中存在无倾转与有倾转的两类氧八面体,前者的自发极化平行于c轴,而后者的自发极化方向与c轴呈一定夹角,故钨青铜的自发极化强度由平行于c轴的分量与ab平面内的分量构成.因此,钨青铜陶瓷的铁电相变将受到如下三个因素的影响：1)A1/A2位有序/无序分布；2)氧八面体的公度与非公度倾转；3)B位离子的有序/无序分布(B位存在两种或多种离子时).因此,钨青铜陶瓷最多可以观察到一个铁电相变与三个低温介电弛豫,而由于成分与结构的变化其中某些介电异常峰可能消失或与其它异常峰合并.当B位都是铁电活性离子时,B位离子的有序/无序之影响一般很小；而B位只有一种离子时,铁电相变完全取决于前两个因素.A1/A2位有序/无序分布取决于A1/A2位离子的成分及大离子半径/次大离子半径离子的离子半径差.当大离子半径离子与次大离子半径离子的成分比越接近4：2,其正常铁电相变特征越明显,由于A位离子无序分布引起的低温介电弛豫越弱；反之、低温介电弛豫越强,越表现为弛豫铁电体的特征.大离子半径与次大离子半径离子的半径差越大,越有利于A1/A2位离子的有序分布,从而导致更明显的正常铁电相变特征.同时,A1位离子与A2位离子半径差越大,越倾向于导致氧八面体的公度倾斜,从而表现出越明显的正常铁电相变特征,相应的低温介电弛豫越弱；反之、却倾向于导致氧八面体的非公度倾斜,相应的低温介电弛豫越强,从而表现出越明显的弛豫铁电体特征.