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采用共溅射技术，在不同的基片温度下制备出了不同晶拉尺寸的GaAs纳米颗粒在SiO<,2>介质中的镶嵌薄膜。对样品进行了先吸收测试，得到了在低能端具有宽化峰的光吸收谱线。根据量子限域效应对宽化峰的形成、峰的数量以及不同样品中互相对应的峰之间的能量位移分别进行了讨论，同时亦注意到了界面陷阱态的存在。