【摘 要】
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异质结双极晶体管(HBT)具有高频、高速、功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点,在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中都有广泛的应用。而InP/InGaAs H
【机 构】
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中国电子科技集团第十三研究所,石家庄050000
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异质结双极晶体管(HBT)具有高频、高速、功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点,在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中都有广泛的应用。而InP/InGaAs HBT在高频特性上明显优于其它材料的HBT器件,而且基区InGaAs吸收波长为900nm到1700nm,涵盖了损耗最低、色散最小的光纤通信波长对应的光窗口,在光通信及光电集成领域显现出强大的优势。并且MOCVD具有精确控制,均匀性好,重复性好等特点,适合InP/InGaAs HBT的外延生长。
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