Ⅱ型In0.17Al0.83NGaN异质结构的实验证明及理论研究

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：selangzhiyan

【摘要】

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通过X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)等手段,我们研究了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结构界面处的能带结构.研究样品为利用MOCVD技术生长的

【作者】

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王嘉铭许福军宋杰王新强葛惟昆杨志坚沈波

【机构】

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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

【出处】

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第13届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

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2014年5期

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通过X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)等手段,我们研究了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结构界面处的能带结构.研究样品为利用MOCVD技术生长的InAlN薄膜以及相应的多量子阱结构(MQWs).传统的带阶研究手段(如XPS)会由于极化场的存在而导致不可避免的误差,所以相应的修正是必不可少的.

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