UHV/CVD自组织生长Ge量子点

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dder77

【摘要】

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利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10/cm,

【作者】

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罗广礼黄文韬史进黎晨陈培毅钱佩信

【机构】

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清华大学微电子学研究所(北京)

【出处】

：

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

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自组织量子点均匀性尺寸直径生长温度点密度形状显示设备分布

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利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10<10>/cm<2>,且其大小均匀性也很好;其中550℃下所生长的大量子点底部直径为80nm,小量子点底部直径为只有45nm.而在700℃下生长的Ge量子点,其尺寸明显变大,均匀性也变差.

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