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利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的Si<,1-x>Ge<,x>MOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得到高质量的外延片,是一种很有希望的Si/SiGe外延生长设备.
有弛豫缓冲层的SiGe HMOSFET材料
【摘 要】
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利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的SiGeMOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得
【机 构】
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清华大学微电子研究所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年4期
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