【摘 要】
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已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双
【机 构】
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Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为20、17和21弧秒。中波器件在77K温度下的50％截止波长为4.8微米,相应最大值4.2微米处探测率为2.4×1011 cm.H205/W；长波器件在77K温度下的50％截止波长为9.6微米,峰值响应率为3.2 A/W；甚长波器件在77K温度下的50％截止波长为14.5微米,Johnson噪声限制的探测率为4.3×109cm·Hz0.5/W。还研制成功通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波／甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器器件,此器件在77K温度下的50％的截止波长分别为10和16微米,两个响应带的光学串扰只有约10％。
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