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采用激光分子束外延技术,分别在非极性m面Sapphire和非极性m面ZnO缓冲层的Sapphire衬底上获得了外延的非极性m面AlN薄膜。从XRD中可以看出,ZnO缓冲层的引入减小了AlN与Sapphire衬底的晶格失配。根据Φ扫描结果得到AlN与ZnO缓冲层及Sapphire衬底面内关系为AIN∥ZnO∥Sapphire,[0001]AIN∥[0001]ZnO∥[-12-10] Sapphire,[-12-10]AlN∥[-12-10]ZnO//[0001]Sapphire。原子力显微镜结果显示ZnO缓冲层的引入使非极性m面AlN薄膜从颗粒转变为横向条状生长。透射光谱显示非极性m面AlN薄膜具有很好的透过率(>90％),对应带隙宽度为5.8 eV。外延高质量的m面非极性AlN/ZnO/Sapphire异质结,可以用来研究非极性发光器件。