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本文介绍一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造，阐述了其与一般常规晶体管比较所显示的结构特点,概述了所采用的包括真空注入在内的关键制造工艺,讨论了研制中遇到的一些问题。
一种新型LEC晶体管及其真空注入工艺
【摘 要】
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本文介绍一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造，阐述了其与一般常规晶体管比较所显示的结构特点,概述了所采用的包括真空注入在内的关键
【机 构】
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中国华晶电子集团公司,江苏,无锡
【出 处】
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华东三省一市第三届真空学术交流会
【发表日期】
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2000年期
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