【摘 要】
：
本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质外延生长的N极性和Ga极性GaN进行了对比
【机 构】
：
National Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Mi
【出 处】
：
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质外延生长的N极性和Ga极性GaN进行了对比研究。发现,Ga极性材料中的穿透位错随着厚度的增加有明显的弯折,合并成环和湮灭现象,而N极性材料中,大部分穿透位错并没有明显地随着外延层厚度的增加而产生合并,弯折和湮灭,而是向上延伸。并且,N极性材料的AIN成核层与GaN外延层之间界面处并未产生如Ga极性材料中AlN与GaN界面间那样高的位错密度。结合原子力显微镜的结果,对这些现象提出了可能的解释,认为不同于通常Ga极性GaN的由三维生长逐渐转变为二维的生长模式,N极性材料在生长初期就遵循一种二维的生长模式,再加上N极性GaN生长过程中大量的螺旋式生长,所以造成了两者的位锚密度差异较大。
其他文献
现如今,城市化进程加快,越来越多的高层建筑结构形式越来越复杂,很多新的设计方案的提出,使得城市建设的日新月异.高层建筑结构设计不仅要适应市场需求,也必须要有配套的抗震
软土地基的施工难度非常高,传统的技术手段、技术方法应用并不能产生较好的效果,需进一步的降低软土地基含水率,在地基的安全性、稳定性方面不断提升.强夯法的应用对于软土地
近期Te化物材料由于其独特的物理化学性质被广泛的研究，并应用在拓扑绝缘体，热电材料，量子器件及光电传感器等研究领域。In2Te3作为一种重要Te化物也已受到大量科学工作者的
已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双
伴随当前经济社会的高速发展以及现代化建设的不断加快,工程建设也获得了极大的发展,工程建设的项目不断增多,建设规模越来越大.而在工程建设当中,岩土工程勘察是非常重要的
随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现
尽管装配式建筑具有施工进度较快,受气候制约小,劳动力需求少,建筑质量较高等优点,但目前其施工还是参照传统现浇建筑施工的安全生产管理标准规范,存在一定的缺陷.适合装配式
高层建筑作为当前我国建筑行业一项非常重要的发展趋势,其本身建造质量要求较高的情况在具体的建造技术、材料、设备上与普通建筑相比均有诸多差异.本文将针对铝模体系在高层
近年来,随着社会主义市场经济的飞速发展,我国的科学技术也随之发展,智能建筑逐渐被应用于城市建设中,这是新时期城市发展的必然趋势,也是人们生活中对建筑的更高要求.相较于
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显