【摘 要】
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采用磁控溅射方法,在不同的溅射压强下,在玻璃和硅衬底上生长As掺杂ZnO薄膜.研究溅射压强对ZnO薄膜结构、形貌和电光性能的影响.X衍射结果表明所制备的ZnO薄膜具有z轴(002)单
【机 构】
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西北大学物理学系,陕西西安710069
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采用磁控溅射方法,在不同的溅射压强下,在玻璃和硅衬底上生长As掺杂ZnO薄膜.研究溅射压强对ZnO薄膜结构、形貌和电光性能的影响.X衍射结果表明所制备的ZnO薄膜具有z轴(002)单晶生长的结构.扫描电镜显示ZnO的沉积颗粒随压强有明显变化.紫外可见分光光度计测量结果反映了薄膜具有良好的透过率,在400nm～800nm透过率高达85％以上.最后采用四探针法测量薄膜的电学性能,As掺杂ZnO薄膜最低的电阻率可达92.5Ω·cm.
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