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采用阴影掩膜作为蒸镀电极的掩膜可以避开光刻过程，尤其有利于非传统材料的表面上电极的制备。利用该技术可以实现单一步骤大面积地制备微纳米尺度电极，极大地简化器件的加工工艺。尽管在阴影掩膜的制备方面已有一定的研究，但在微纳米器件制备方面的报导还很少。本文制备了大面积的插指电极阴影掩膜并用于有机半导体纳米器件的制备。随后利用制备的阴影掩膜为单根有机半导体纳米线制备了电极。