【摘 要】
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本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。我们还讨论了退火对于Mg浓度以及杂质原子(H,O,C)浓度的影响,发现热退火导致了Mg原子的重新分配并且使得H和O原子逃离了周体薄膜,而C原子的浓度反倒增加.
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