【摘 要】
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本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4帽层对器件性能的影响。Si3N4帽层作为栅绝缘
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体国防重点实验室,西安 710071
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4帽层对器件性能的影响。Si3N4帽层作为栅绝缘层,增加了栅与2DEG沟道的距离,导致器件的阈值电压负漂。由其制得的Si3N4/AIG/GaN HEMT 的最大电流密度(IDmax)为928 mA/mm,峰值跨导(gmnax)为209 ms/mm,截止频率为22GHz。
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