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引言碲镉汞作为一种禁带宽度可连续调节的直接带隙半导体材料,已经广泛应用于红外焦平面探测器的制造[1].而与传统的n-on-p型器件相比,As离子注入p-on-n型HgCdTe红外焦平面器件已经被学术界公认具有暗电流低、器件串联电阻低、工作温度较高的优点,为此美国、法国等国的研究者开展了一系列研究工作[2,3].为了满足第三代红外探测器在高性能、大规模、低制冷要求方面的需求,Si等与集成电路兼容性好的衬底材料上HgCdTe的分子束外延(MBE)生长技术研究也取得了很大进展[4].