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Ⅱ类超晶格红外探测技术以其可设计自由的能带结构、大的电子有效质量，高的均匀性以及基于Ⅲ-Ⅴ族材料成熟的材料器件工艺等优点，逐步成为红外探测领域的优选材料之一，得到各国研究者广泛的关注。对于超晶格长波探测器而言，量子效率和暗电流密度是其最关键的性能参数。势垒结构被用来抑制InAs/GaSb超晶格长波探测器的暗电流，以获得高性能的长波红外探测器，如美国西北大学的"M"型结构，喷气动力实验室的互补势垒红外探测器(CBIRD)结构和新墨西哥大学的双势垒异质结构(PBIBN)等。这些新型的结构利用超晶格材料体系能带可调的优势，人工设计的电子势垒和空穴势垒，既能够抑制台面器件的纵向漏电，又能够将耗尽区主要形成在势垒区，减少长波器件的隧穿电流。