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采用PVT(Physical Vapor Transport)法生长故意掺氮的低阻n-4H-Sic单晶体。结果表明:用4H-Sic耔晶的碳面为生长面,且籽晶温度监测点的温度设定在1965～1995℃范围内时,在生长过程中通入适量高纯氮气(40sccm),可获得电阻率低达0.01～0.03Ω·cm的低阻n-4H-SiC单晶体。