【摘 要】
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利用能量为2.5MeV的电子束沿生长方向(0001)对GaN/Al2O3异质结外延层进行电子辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。辐照后,用光致发光谱(PL)进行分析,发现相对于未
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京新街口外大街2号,100088
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用能量为2.5MeV的电子束沿生长方向(0001)对GaN/Al2O3异质结外延层进行电子辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。辐照后,用光致发光谱(PL)进行分析,发现相对于未经辐照的样品,辐照后样品的固有中性硅施主束缚激子峰对应的强度随辐照剂量的增加而减小,峰强减小量与电子束剂量的变化呈线性关系。辐照后的样品在3.492eV处出现一个新的峰,这个峰的出现与氮空位的形成有关.经测定,氮空位的束缚能为25meV.
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