【摘 要】
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在过去的十年中,尽管研究人员做了大量工作来制备p型ZnO,但可靠性和稳定性仍受质疑。研究影响p型稳定性的因素与机制对于实现基于p型ZnO的短波长光电器件就显得至关重要
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院激发态物理重点实验室,吉林长春130033
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在过去的十年中,尽管研究人员做了大量工作来制备p型ZnO,但可靠性和稳定性仍受质疑。研究影响p型稳定性的因素与机制对于实现基于p型ZnO的短波长光电器件就显得至关重要。本实验通过等离子体辅助的分子束外延设备在a面和c面蓝宝石衬底上外延生长了氮掺杂p型ZnO薄膜。通过霍尔测量观察,在样品放置过程中,c面蓝宝石衬底上的p型逐渐退化为n型,而制备在a面蓝宝石上的p型ZnO却呈现极高的稳定性。
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