【摘 要】
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目前对ZnO的紫外探测器研究比较多,尤其是目盲区探测(4.4-5.6eV),而MgxZn1-xO六方相的合金薄膜具有在3.3eV-5.0eV可调节,所以有必要制备和研究日盲区段的MgxZn1-xO薄膜。采用
【机 构】
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中国科学与技术大学物理系,合肥 230026
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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目前对ZnO的紫外探测器研究比较多,尤其是目盲区探测(4.4-5.6eV),而MgxZn1-xO六方相的合金薄膜具有在3.3eV-5.0eV可调节,所以有必要制备和研究日盲区段的MgxZn1-xO薄膜。采用射频磁拧溅射用x=0.00-0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在硅(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgxZn1-xO薄膜在x≤325时具有单一(002)取向的六方结构,其禁带宽度Eg随x增加而增加,在薄膜表面在入射光能量大于禁带宽度时有光电响应,并且在x=0.325时得到了禁带宽度在4.9eV的MgxZn1-xO薄膜。在x>0.325时出现立方相结构,禁带宽度有所减少,说明此时已为混相薄膜。
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