【摘 要】
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使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶硅(111)基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、表面轮廓仪(surface profiler)、扫描电了显微镜(SEM)
【机 构】
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深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳 518060
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶硅(111)基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、表面轮廓仪(surface profiler)、扫描电了显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、紫外可见分光光度计对合成样品进行了结构、成份以及光学性能进行分析。结果显示：在1～10 Pa的氧气压力条件下制各的所有ZnO薄膜均有着较高的光学透过率(>75％)；氧气压力临界值为2 Pa；氧气压力2 Pa时合成的ZnO薄膜有着较平整的表面,较高沉积速率～250 nm/h,(002)峰的半高宽为0.20°,此时薄膜中氧空位含量较少,薄膜显示出良好的PL特性。
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