【摘 要】
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利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄050051
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的硅微波功率器件相比,在同样的频率和输出功率下,器件的体积不到硅器件的1/7,重量不到硅器件的20％,SiC微波功率器件的功率增益较硅器件提高了3分贝以上,器件效率也得到了相应的提升。
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