【摘 要】
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用光刺激放电法(Photo-stimulated discharge method,PSD)研究电晕充电和电子束辐照充电(电子束能量从10 keV 到70 keV)的聚酰亚胺材料的陷阱能级分布.用氙光灯产生的全
【机 构】
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上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,同济大学,上海,200092
【出 处】
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第十五届全国电介质、材料与应用学术会议
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用光刺激放电法(Photo-stimulated discharge method,PSD)研究电晕充电和电子束辐照充电(电子束能量从10 keV 到70 keV)的聚酰亚胺材料的陷阱能级分布.用氙光灯产生的全波段光经过光栅光谱仪分光之后辐照到充过电的聚酰酰亚材料上,并使光谱仪从590 nm 扫描到200 nm,用不同能量光子激发陷阱电荷脱阱,脱阱之后的自由电荷将在空间电荷电场的作用下迁移到样品电极,通过记录外电路中的光刺激放电电流就可以得到样品中的陷阱能级分布.通过对不同极性和不同充电时间电晕充电得到的PSD 谱的分析,发现聚酰酰亚材料在从530 nm 到320 nm 的宽阔的波长范围内存在连续的陷阱能级分布.其中有两个明显的陷阱能级分布中心,它们分别位于370 nm 和465 nm 光波长处,对应于光子能量3.4 eV 和2.7 eV.随着电子束能量的增加,PSD 谱峰值逐渐向长波长方向移动 - 电子束能量比较低(10 keV)时370 nm 陷阱中俘获电荷占主要部分,当电子束能量比较高(>30keV)时465 nm 陷阱中电荷占主要部分.通过对比分析电晕充电和电子束充电样品分别得到的PSD 谱,发现电荷陷阱能级深度沿薄膜厚度方向具有空间不均一性分布.
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