(K,Na)NbO3基陶瓷(简称KNN基陶瓷)是有希望可替代目前广泛应用中的含铅压电陶瓷的一类重要材料.就一种铁电性的压电材料而言,电畴结构通常对其介电性质和压电性能有着非常重要的影响.然而,目前有关KNN基陶瓷电畴结构的研究还比较少.本报告将报道我们近期关于KNN陶瓷电畴结构进行实验观察和理论分析中所获得的研究结果.首先,我们通过普通烧结方法制备出平均粒径约为5μm、但一些大晶粒的尺寸超过10μm的KNN陶瓷样品.极化后,利用酸腐蚀法成功地观察到了KNN陶瓷的电畴结构.基于对抛光腐蚀面上具有较为规则的晶界的晶粒的仔细观察,我们发现不同方向的电畴条纹之间的夹角分布在30°至45°或125°至150°之间；电畴条纹与晶界之间的夹角在45°至55°之间或与晶界垂直(平行).如图1所示,有些晶粒中的电畴条纹的宽度分布不均匀,较窄的电畴条纹约为170nm,而较宽的电畴条纹则达440nm.对于实验上观察到的电畴图案,我们提出了如图2所示的两种电畴构型的模型进行了解释.由180°、60°和120°的畴壁构成的α型电畴构型可以解释电畴条纹之间的夹角为锐角的电畴图案；由180°和120° 的畴壁构成的β型电畴构型可以解释电畴条纹之间的夹角为钝角的电畴图案.