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本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲层法均有不同程度的改善,实验结果表明改进的缓冲层法能使MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量提高.
缓冲层对MOCVD生长的氮化镓特性的影响
【摘 要】
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本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
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2003年期
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