【摘 要】
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采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层.在衬底PZT(seedlayer)Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射Pb1.1(Zr0.3Ti0.
【机 构】
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昆明物理研究所,云南,昆明,650223
【出 处】
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第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光电子技术交流会
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采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层.在衬底PZT(seedlayer)Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射Pb1.1(Zr0.3Ti0.7)O3陶瓷靶生长厚0.5μm的PZT铁电薄膜.采用快速分级退火的方法对PZT铁电薄膜进行热处理.在450℃预退火5分钟,575℃后退火5分钟的分级退火,PZT铁电薄膜获得了良好的热释电性能.热释电系数、介电常数和介电损耗分别为p=1.6×10-8C.cm-2.k-1,ε=500,tanδ=0.022.所制备的PZT铁电薄膜可望用于非制冷热释电红外探测器。
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